삼성전자가 업계 최초로 읽기 속도를 3배 이상 향상시킨 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시와 저장용량을 3배 늘린 32Gb 3비트(bit) 낸드플래시를 지난달 말 양산에 들어갔다.

□ 32Gb 고속 MLC 낸드플래시 양산

삼성전자가 업계 최초로 32Gb 고속 낸드플래시를 양산했다.

고속 낸드플래시는 D램의 고속 데이터 전송 방식인 DDR(Double Data Rate) 인터페이스를 낸드플래시에 적용한 비동기(Asynchronous) DDR MLC(Multi-Level Cell) 낸드플래시 제품이다.

삼성전자는 독자적인 저전력 비동기 DDR 인터페이스 기술을 적용해 소비 전력량을 증가시키지 않으면서도 기존 SDR(Single Data Rate) 제품 대비 읽기 속도를 약 3배 이상 빠르게 구현했다.

 삼성전자는 이 제품을 프리미엄급 메모리카드 뿐 아니라 고성능 SSD 제품에도 적용해 나갈 계획이다.

□ 32Gb 3비트 MLC 낸드플래시 양산

▲32Gb 3비트 MLC

삼성전자가 업계 최초로 32Gb 3비트 MLC 낸드플래시를 양산했다.

3비트 낸드플래시는 하나의 셀(Cell)에 3비트 단위의 데이터를 저장할 수 있도록 해 같은 칩 면적에서 1비트(bit) 데이터를 저장하는 SLC(Single-Level Cell)에 비해 약 3배의 대용량 데이터를 저장할 수 있도록 한 것이다.

삼성전자는 3비트 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재해 안정적인 카드 성능을 확보했다.

삼성전자는 3비트 낸드플래시 제품으로 대용량 메모리카드, 휴대폰용 메모리카드 시장에서 기존 MLC 낸드플래시 제품을 대체해 나갈 예정이다.

□ 낸드플래시 풀라인업 구축으로 시장 주도권 강화

삼성전자는 지난 3월 30나노급 32Gb MLC 낸드플래시를 양산한 데 이어 8개월만에 동일 공정, 용량으로 고성능, 대용량, 저전력 솔루션인 고속 낸드플래시 및 3비트 낸드플래시 제품을 양산함으로써 더욱 차별화된 32Gb 낸드플래시 전 제품군을 확보하게 됐다.

 삼성전자는 고객 수요에 따라 차별화된 낸드플래시 솔루션을 제공할 수 있게 돼 프리미엄 시장에서 주도권을 강화하게 됐다.

삼성전자 메모리사업부 조수인 부사장은 "삼성전자는 올해초 30나노급 32Gb 낸드플래시 제품을 성공적으로 사업화했고, 이번에 업계 최초로 30나노급 32Gb 제품으로 고속 낸드플래시 및 3비트 낸드플래시를 양산함으로써 업계 최고의 양산성을 확보했다"며 "금년 9월 삼성 브랜드의 프리미엄급 메모리 카드를 출시했고, 이번에 더 빠른 성능과 고효율의 32Gb 낸드 제품군을 공급함으로써 다양한 고성능 모바일 기기의 출시를 적극 지원하고 최종 소비자에게 더 많은 편의성과 효용가치를 제공할 수 있게 됐다."고 밝혔다.

삼성전자는 향후 20나노급의 차세대 제품군에서도 고속 낸드플래시 및 3비트 낸드플래시를 선행 개발해 고성능, 저전력, 대용량 제품을 안정적으로 공급할 계획이다.

또, 고객의 다양한 요구에 보다 신속하게 대처해 제품 개발비용 절감과 개발기간을 단축하는 등 고객 이익을 극대화해 나갈 예정이다.

한편, 반도체 시장 조사기관 가트너(Gartner)에 따르면 전 세계 낸드플래시 메모리 시장은 2009년 138억 달러에서 2012년 236억 달러 규모로 크게 성장할 것으로 전망된

□ 고속 낸드플래시

▲고속 낸드플래시(DDR NAND Flash)

 - 고속 낸드플래시(DDR NAND Flash)는 데이터 전송 방식을 SDR에서 DDR로 바꿈으로써 쓰기 속도는 기존의 MLC NAND와 동일하나,

    읽기 속도가 대폭 향상됐다.

  - Asynchronous(비동기식) DDR interface는 삼성 독자 개발 기술로 Read 동작시 불필요한 Free Running Clock을 줄여

    Synchronous(동기식) DDR interface 대비 소비 전류를 더 적게 소모하는 것이 장점.

  - 삼성전자는 고속 낸드(DDR NAND)를 SLC 수준의 프리미엄급 시장은 물론 PC용 대용량 SSD(Solid State Disk),

    프리미엄급 이상의 고성능 휴대폰용 외장 메모리 카드 및 모비낸드(moviNAND) 시장 등으로 적극적으로 판매 확대해 나갈 예정이다

□ 3비트 낸드플래시

  - 3비트(bit) 낸드플래시 기술은 전하를 정밀하게 제어하여 한 셀에 3비트 (bit)를 저장할 수 있어,

    1비트(bit)를 저장되는 SLC 낸드플래시 대비 동일 칩 면적에 약 3배 정도 높은 대용량 제품을 만들 수 있다.

  - 한 셀에 저장하는 전하량으로 비트(bit)의 저장타입을 구분하며 낸드플래시는 SLC 낸드(1bit), MLC 낸드(2bit)에 이어

    3bit 낸드(3bit)가 이번에 처음으로 양산에 들어갔다.

▲3 비트(bit) 낸드플래시

  - 셀 당 저장해야 하는 비트(bit) 수가 늘어날수록 상호 구분되는 전하량의 종류는 2의 지수 배로 늘어난다.

    따라서 3비트(bit) 낸드플래시를 구현하기 위해서는 2비트(bit) 낸드플래시보다 더욱 정밀하게 전하량을 컨트롤을 하는 기술이

    필요하다.

  - 삼성 독자 기술로 개발된 3 비트(bit) 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재함으로써 MLC(2bit) 낸드플래시 수준의 속도와 신뢰성을 

    확보했다.

  - 2005년 세계 최초로 50나노 16기가 MLC(2 bit) 낸드플래시 개발 이후  MLC 시장을 확대해 왔는데,

    올해 11월에 업계 최초로 30나노급 32기가 3비트(bit) 낸드 제품을 양산하게 됐습니다.

□ 낸드플래시 시장 전망 (가트너)

 2008 2009 2010 2011 2012
NAND Flash 13,169.0  13,792.0  16,074.3  21,038.8  23,582.1 

 (단위; 백만불)